復(fù)旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院科研團隊日前發(fā)布一項半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，每秒可執(zhí)行25億次操作，這是迄今為止全球最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)。這一成果已在國際知名學術(shù)期刊《自然》發(fā)表。復(fù)旦大學科研團隊將這個存儲器命名為“破曉”，只有1平方厘米大小，外觀和普通存儲器別無二致，然而它通過創(chuàng)新的物理機制，將存儲器擦寫速度提升到400皮秒實現(xiàn)一次擦或者寫，一皮秒只相當于一萬億分之一秒。“破曉”這個速度相當于每秒可執(zhí)行25億次操作，比傳統(tǒng)閃存快一百萬倍。
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