據介紹，氫能作為目前最具發展潛力的清潔能源，但其分離與提純方法是當前制約氫能廣泛應用的關鍵問題。陶葉晗等發現，孔洞石墨烯具有較易控制的孔結構。該團隊采用計算機模擬方法，研究不同結構及條件下，石墨烯對不同氣體分子的選擇性吸附和分離的影響，進而探索石墨烯在氣體分離方面的應用。這種理論對設計新型高效的氫氣分離膜具有重要意義。
無獨有偶，西班牙Graphenea公司于近日宣布，與日本立命館大學等共同實現了GaN結晶用石墨烯作為中間層時在硅(100)面上的生長。該技術是日本立命館大學理工學部電子光信息工學科荒木努和名西Yasushi的研究室、美國麻省理工學院(MIT)、韓國首爾大學(Seoul National University)、韓國東國大學(Dongguk University)及西班牙Graphenea公司共同開發的。
在硅(100)面上直接生長缺陷少的GaN結晶時非常困難，幾乎沒有成功先例。此次Graphenea公司等在硅(100)面上首先形成石墨烯，然后在石墨烯上實現(0001)面的GaN結晶生長。
值得期待的是，2014年9月1日至3日，一場匯聚全球一流石墨烯科學家和企業家的中國國際石墨烯創新大會將在寧波東港喜來登大酒店隆重舉辦，以Graphenea公司、ICN2研究所、ICFO研究所為代表的西班牙組團也將參加本次大會。另外，從組辦方會議網站了解到，參加本次大會還有英國國家石墨烯研究院、英國國家物理實驗室、劍橋大學、美國萊斯大學、法國國家科學研究中心、意大利科技研究所石墨烯實驗室、日本國立材料研究所、新加坡國立大學、CVD設備公司、Angstron Materials公司、諾基亞公司、東麗先端公司、一汽集團、康佳集團、墨西科技、深圳貝特瑞、偉星集團、深圳市電子商會、中煤出口、金山礦業、中信建投等國內外一流企業和機構。相信通過本次大會的成功舉辦,必將成為加強國際石墨烯材料技術交流合作的橋梁紐帶,促進國內外知名企業更多地關注和投資石墨烯產業。
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